Компания Rambus объявила о выпуске наборов электронных SMD-компонентов, необходимых для производства модулей ОЗУ RDIMM и MRDIMM нового поколения для серверов. Наборы включают тактовые генераторы, драйверы для управления питанием и некоторые другие компоненты.

В представленный Rambus набор вошли следующие базовый компоненты:

• первый в отрасли регистровый чип пятого поколения (Registering Clock Driver, RCD), позволяющий модулям RDIMM работать со скоростью 8000 МТ/с;
• мультиплексированный регистровый чип (MRCD) и мультиплексированный буфер данных (MDB), позволяющие будущим модулям MRDIMM работать со скоростью до 12 800 MT/с;
• чип управления питанием второго поколения (PMIC5030), разработанный для модулей DDR5 RDIMM-8000 и MRDIMM-12800, поддерживающий сверхвысокие токи при низком напряжении для реализации более высоких скоростей памяти и большего количества DRAM и логических микросхем на модуль;
• чип Serial Presence Detect Hub (SPD) и температурный сенсор (TS).

Источник изображения: Rambus

Компания поясняет, что DDR5 MRDIMM-12800 использует новую конструкцию модуля, которая повышает скорость передачи данных и производительность системы за счёт мультиплексирования двух рангов, эффективно чередуя два потока данных. Это позволяет шине памяти хоста удвоить скорость передачи данных в сравнении с традиционными модулями при использовании тех же физических соединений DDR5 RDIMM.

Для этого требуется чип MRCD, который может адресовать два ранга DRAM в чередующихся тактовых циклах, а также чипы MDB для управления потоками данных к микросхемам DRAM и от них. Для каждого модуля DDR5 MRDIMM-12800 требуется один MRCD и десять чипов MDB. MRCD и MDB также будут поддерживать формфактор Tall MRDIMM с четырьмя рангами.

Компания Micron Technology объявила о старте рассылки образцов модулей памяти DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module), специально разработанной для приложений ИИ и HPC. По сравнению с обычными RDIMM у модулей MRDIMM до 39 % выше пропускная способность памяти, на 15 % выше эффективность работы шины и до 40 % ниже задержка. MRDIMM-модули будут иметь ёмкость 32, 64, 96, 128 и 256 Гбайт.

Модули памяти обеспечивают скорость передачи данных 8800 МТ/с и выпускаются в двух форматах: стандартной и увеличенной (TFF, Tall Form Factor) высоты, которые подходят для серверов высотой 1U и 2U. Благодаря улучшенной конструкции модулей TFF температура DRAM снижается до 20 °С при той же мощности и потоке воздуха, обеспечивая более эффективное охлаждение в ЦОД и оптимизируя общее энергопотребление системы для рабочих нагрузок с интенсивным использованием памяти.

Источник изображения: Micron Technology

Сообщается, что новое предложение представляет собой первое поколение семейства Micron MRDIMM и будет совместимо только с процессорами Intel Xeon 6, поскольку стандарт JEDEC для памяти MRDIMM официально ещё не выпущен. Массовые поставки Micron MRDIMM начнутся во II половине 2024 года. Компания сообщила, что последующие поколения MRDIMM будут по-прежнему обеспечивать до 45 % лучшую пропускную способность памяти на канал по сравнению с RDIMM аналогичного поколения.

Ранее образцы MRDIMM (или MR-DIMM) показала ADATA. А SK hynix совместно с Intel и Renesas ещё в конце 2022 года объявила о создании похожего типа памяти — DDR5 MCR (Multiplexer Combined Ranks) DIMM. Весной этого года Micron также показала образцы DDR5-8800 MCR DIMM.