Компания Micron Technology объявила о доступности серии NVMe-накопители Micron 9550, которые позиционируются как самые быстрые в мире PCIe 5.0 SSD для ЦОД с лучшими в отрасли показателями энергоэффективности и производительности для ресурсоёмких рабочих нагрузок, таких как ИИ. Новинки используют 232-слойную флеш-память TLC NAND, предлагаются в форм-факторах U.2 (15 мм), E3.S (1T) и E1.S (15 мм), а их ёмкость составляет от 3,2 до 30,72 Тбайт.

Micron 9550 обеспечивает скорость последовательного чтения до 14,0 Гбайт/с и последовательной записи до 10,0 Гбайт/с, что превышает на 67 % показатели твердотельных накопителей аналогичного класса от конкурентов, говорит компания, подразумевая решения Kioxia и Samsung. Производительность накопителя на операциях случайного чтения и записи составляет 3,3 млн IOPS и 400 тыс. IOPS соответственно, что до 35 % и до 33 % выше, чем у предложений конкурентов.

Источник изображения: Micron

Накопители Micron 9550 поддерживают TCG Opal 2.01, SPDM 1.2, телеметрию по стандарту OCP 2.5, шифрование данных (SED), сквозную поддержку целостности данных, подписанное встроенное ПО, изолированный анклав Micron Secure Execution Environment, защиту от потери питания, а также соответствуют стандартам NVMe v2.0b и OCP 2.0 (r21). Доступны и варианты с сертификацией FIPS 140-3 Level 2 и TAA.

Компания предлагает две версии Micron 9550: 9550 PRO для интенсивного чтения с 1 DWPD (допустимое количество перезаписей всего объёма накопителя в день) в течение пятилетнего гарантийного периода и 9550 MAX для смешанных нагрузок с надёжностью 3 DWPD. E1.S-вариант есть только 9550 PRO. Доступная ёмкость 9550 PRO составляет 3,84/7,68/15,36/30,72 Тбайт. Версия накопителя 9550 MAX предлагает меньшую ёмкость — 3,2/6,4/12,8/25,6 Тбайт.

Как отметила Micron, ИИ-нагрузки требуют высокопроизводительных решений для хранения данных. Показатели последовательного и случайного чтения и записи SSD 9550 позволяет использовать его именно в таких в сценариях. Накопители поддерживают архитектуры Big Accelerator Memory (BaM) и GPU-Initiated Direct Storage (GIDS).

Например, большие языковые модели (LLM) требуют высокой скорости последовательного чтения, а графовые сети (GNN) требуют высокой производительности случайного чтения. Компания заявила, что Micron 9550 превосходит предложения конкурентов в работе с ИИ-нагрузками: время выполнения сокращается до 33 %, агрегация в BaM происходит до 60 % быстрее, обеспечивается до 34 % более высокая пропускная способность при использовании Magnum IO GPUDirect Storage (GDS).

Согласно пресс-релизу, Micron 9550 обеспечивает лучшую в отрасли энергоэффективность для поддержки различных рабочих ИИ-нагрузок, в том числе:

• Обучение графовых сетей с помощью BaM: снижение среднего энергопотребления SSD до 43 % и снижение общего энергопотребления сервера до 29 %.
• NVIDIA Magnum IO GPUDirect Storage: до 81 % меньше потребление энергии на каждый переданный 1 Тбайт.
• MLPerf: до 35 % меньше потребление энергии накопителем и до 13 % меньше использование энергии системой.
• Тюнинг Llama LLM с помощью Microsoft DeepSpeed: энергопотребление SSD до 21 % меньше.

Micron 9550 имеет вертикально интегрированную архитектуру с использованием технологий, разработанных Micron, обеспечивающую гибкий выбор конструкции и расширенные возможности безопасности, говорит компания. Кроме того, Micron сотрудничает с NVIDIA и разработчиками решений с открытым исходным кодом, чтобы гарантировать соответствие решений потребностям самых требовательных ИИ-нагрузок.

Компания Micron Technology объявила о старте рассылки образцов модулей памяти DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module), специально разработанной для приложений ИИ и HPC. По сравнению с обычными RDIMM у модулей MRDIMM до 39 % выше пропускная способность памяти, на 15 % выше эффективность работы шины и до 40 % ниже задержка. MRDIMM-модули будут иметь ёмкость 32, 64, 96, 128 и 256 Гбайт.

Модули памяти обеспечивают скорость передачи данных 8800 МТ/с и выпускаются в двух форматах: стандартной и увеличенной (TFF, Tall Form Factor) высоты, которые подходят для серверов высотой 1U и 2U. Благодаря улучшенной конструкции модулей TFF температура DRAM снижается до 20 °С при той же мощности и потоке воздуха, обеспечивая более эффективное охлаждение в ЦОД и оптимизируя общее энергопотребление системы для рабочих нагрузок с интенсивным использованием памяти.

Источник изображения: Micron Technology

Сообщается, что новое предложение представляет собой первое поколение семейства Micron MRDIMM и будет совместимо только с процессорами Intel Xeon 6, поскольку стандарт JEDEC для памяти MRDIMM официально ещё не выпущен. Массовые поставки Micron MRDIMM начнутся во II половине 2024 года. Компания сообщила, что последующие поколения MRDIMM будут по-прежнему обеспечивать до 45 % лучшую пропускную способность памяти на канал по сравнению с RDIMM аналогичного поколения.

Ранее образцы MRDIMM (или MR-DIMM) показала ADATA. А SK hynix совместно с Intel и Renesas ещё в конце 2022 года объявила о создании похожего типа памяти — DDR5 MCR (Multiplexer Combined Ranks) DIMM. Весной этого года Micron также показала образцы DDR5-8800 MCR DIMM.

Micron Technology сообщила финансовые результаты III квартала 2024 финансового года, завершившегося 30 мая. Несмотря на значительный рост выручки по сравнению с прошлым годом, а также то, что показатели за квартал превысили прогноз аналитиков, акции Micron упали в минувшую среду в цене на 8 %, поскольку прогноз компании на текущий квартал оказался ниже ожиданий инвесторов, отметил ресурс MarketWatch.

Выручка Micron в III финансовом квартале составила $6,81 млрд, что на 17 % больше, чем в предыдущем квартале, и на 82 % больше показателя аналогичного периода годом ранее. Также был превышен консенсунс-прогноз аналитиков, опрошенных FactSet, в размере $6,67 млрд. При этом продажи DRAM составили $4,7 млрд (69 % общей выручки), NAND — $2,1 млрд (30 %).

Источник изображений: Micron Technology

Подразделение Compute and Networking (CNBU) принесло компании $2,57 млрд (рост год к году на 85 %), мобильное подразделение (Mobile, MBU) увеличило выручку на 94 % до $1,59 млрд, у подразделения встраиваемых решений (Embedded, EBU) выручка составила $1,29 млрд (рост — 42 %), у подразделения решений для СХД (SBU) — $1,35 млрд (рост — 116 %).

Отчётный квартал компания завершила с чистой прибылью (GAAP) в размере $332 млн или $0,30 на акцию, тогда как годом ранее она объявила о чистом убытке в размере $1,9 млрд, или $1,73 на акцию. Вместе с тем консенсунс-прогноз аналитиков по чистой прибыли равнялся $399,39 млн. Скорректированная прибыль (non-GAAP) на акцию составила $0,62, тогда как аналитики, опрошенные FactSet, ожидали $0,48 прибыли на акцию.

Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra), президент и гендиректор Micron Technology, отметил устойчивый спрос на ИИ-решения, позволивший увеличить выручку и превысить собственный прогноз на III финансовый квартал. «Мы увеличиваем долю в высокодоходных продуктах, таких как память HBM, а выручка от SSD для ЦОД достигла рекордно высокого уровня, демонстрируя силу нашего портфолио продуктов для ИИ, включая DRAM и NAND», — заявил он. Также Мехротра сообщил, что компания «добилась значительного повышения цен» и что «улучшение цен в сочетании с усилением ассортимента продукции привело к увеличению прибыльности на всех конечных рынках».

В IV финансовом квартале Micron ожидает получить скорректированную прибыль (non-GAAP) в размере $1,08 на акцию при выручке в $7,6 млрд. Прогноз аналитики Уолл-стрит на текущий финансовый квартал по прибыли (non-GAAP) составляет $1,02 на акцию при выручке в $7,59 млрд. В комментариях к финансовому отчёту Мехротра отметил, что благодаря росту использования ИИ-технологий, у компании есть «хорошие возможности для достижения существенного рекордного дохода в 2025 финансовом году».

«Мы находимся в начале многолетней гонки за создание общего ИИ, или AGI, который произведёт революцию во всех аспектах жизни», — сообщил глава Micron. — Запуск AGI потребует обучения моделей с постоянно растущими размерами с триллионами параметров и сложных серверов для инференса. ИИ также распространится на периферию через компьютеры с ИИ и смартфоны с ИИ, а также умные автомобили и интеллектуальные промышленные системы. Эти тенденции будут способствовать значительному росту спроса на DRAM и NAND, и мы считаем, что Micron станет одним из крупнейших бенефициаров в полупроводниковой промышленности благодаря возможностям многолетнего роста, обусловленных ИИ».

Представив чипы памяти типа DDR5 ёмкостью 32 Гбит ещё прошлой осенью, компания Micron Technology только сейчас сертифицировала модули RDIMM объёмом 128 Гбайт на основе этих чипов на совместимость с оборудованием ключевых игроков серверного рынка. Клиенты Micron смогут получить такие модули памяти в июне. Также компания объявила о поставках восьмиярусных стеков памяти HBM3E.

Американский производитель памяти подчёркивает, что и 128-Гбайт модули DDR5-5600 RDIMM, и HBM3E-память Hi-8 наилучшим образом проявят себя в серверной инфраструктуре, ориентированной на обслуживание ИИ-систем. Кого именно из производителей ускорителей вычислений Micron снабжает памятью типа HBM3E, не уточняется, но конкурирующие Samsung и SK hynix уже готовы поставлять клиентам 12-ярусные чипы HBM3E. Впрочем, ещё в феврале Micron сообщил о готовности начать во II квартале поставки чипов HBM3E объёмом 24 Гбайт для ускорителей NVIDIA H200.

Источник изображения: Micron Technology

Серверные модули DDR5 объёмом 128 Гбайт со скоростью 5600 МТ/с на основе монолитных 32-Гбит чипов памяти, по данным Micron, позволяют на 45 % поднять плотность хранения данных в пересчёте на один контакт, на 22 % поднять энергетическую эффективность, и на 16 % снизить задержки при передаче информации по сравнению с немонолитными чипами DDR5.

Micron отметила, что в этом году начнёт поставки модулей со скоростью 4800, 5600 и 6400 MT/с, а в будущем намерена предложить решения со скоростью до 8000 MT/с. AMD и Intel подтвердили совместимость новых модулей Micron со своими современными серверными платформами. Со следующего месяца Micron начнёт продавать новую память через своих торговых партнёров.

Компания Micron Technology анонсировала SSD семейств 6500 ION и XTR, предназначенные для применения в ЦОД. Изделия используют для обмена данными интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 2.0), благодаря чему достигаются высокие скоростные показатели. При этом решения серии XTR отличаются улучшенной долговечностью.

Накопители Micron 6500 ION выполнены на основе чипов памяти TLC NAND (Micron 232L Performance TLC). Разработчик утверждает, что по стоимости эти устройства сравнимы с SSD на базе QLC NAND. Вместимость составляет 30,72 Тбайт. Таким образом, операторы дата-центров получат эффективное решение для построения массивов хранения большой ёмкости.

Заявленная скорость последовательного чтения данных достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи информации блоками по 4 Кбайт — до 1 млн и 200 тыс. соответственно. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (показатель DWPD). Предусмотрены два варианта исполнения: SFF U.3 толщиной 15 мм и E1.L толщиной 9,5 мм.

Источник изображений: Micron

Решения Micron XTR, в свою очередь, используют чипы памяти Micron 176L SLC. SSD доступны в формате SFF U.3 толщиной 15 мм. Вместимость составляет 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения в обоих случаях достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,3 и 5,6 Гбайт/с соответственно. Величина IOPS при чтении — до 900 тыс., при записи — до 250 тыс. и 350 тыс. Эти накопители обеспечивают высочайшую надёжность: значение DWPD равно 60 при последовательной записи и 35 при произвольной записи.